Дифференциальный усилительСтраница 1
Содержание:
1. Техническое задание .3
2. Анализ технического задания 6
3. Выбор материалов, расчет элементов 6
4. Выбор подложки 8
5. Технологический маршрут .8
6. Выбор корпуса ГИС 8
7. Оценка надежности .9
8. Список литературы .11
Задание
на разработку гибридной интегральной микросхемы (ГИС) частного применения.
Дифференциальный усилитель.
Дифференциальный усилитель предназначен для усиления сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты.
Схема электрическая принципиальная:
Смотрите на следующей странице (рисунок 1).
Рисунок 1 : Схема электрическая принципиальная |
Технические требования:
Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям:
– повышенная предельная температура +85°С;
– интервал рабочих температур -20°С .+80°С;
– время работы 8000 часов;
– вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G;
– линейное ускорение до 15G.
Исходные данные для проектирования:
1. Технологический процесс разработать для серийного производства с объёмом выпуска – 18000 штук.
2. Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением тонкоплёночной технологии в одном корпусе.
3. Значения параметров:
Позиционное обозначение: | Наименование: | Количество: | Примечание: |
R1,R3,R5 | резистор 4КОм±10% | 3 | Р=3,4мВт |
R2 | резистор 1,8КОм±10% | 1 | Р2=5,8мВт |
R4 | резистор 1,7КОм±10% | 1 | Р4=2,2мВт |
R6 | резистор 5,7ком±10% | 1 | Р6=2,6мВт |
VT1,VT4 | транзистор КТ318В | 2 | Р=8мВт |
VT2 | транзистор КТ369А | 1 | Р=14мВт |
VT3 | транзистор КТ354Б | 1 | Р=7мВт |