Дифференциальный усилитель
Страница 1

Содержание:

1. Техническое задание .3

2. Анализ технического задания 6

3. Выбор материалов, расчет элементов 6

4. Выбор подложки 8

5. Технологический маршрут .8

6. Выбор корпуса ГИС 8

7. Оценка надежности .9

8. Список литературы .11

Задание

на разработку гибридной интегральной микросхемы (ГИС) частного применения.

Дифференциальный усилитель.

Дифференциальный усилитель предназначен для усиления сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты.

Схема электрическая принципиальная:

Смотрите на следующей странице (рисунок 1).

Рисунок 1 : Схема электрическая принципиальная

Технические требования:

Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям:

– повышенная предельная температура +85°С;

– интервал рабочих температур -20°С .+80°С;

– время работы 8000 часов;

– вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G;

– линейное ускорение до 15G.

Исходные данные для проектирования:

1. Технологический процесс разработать для серийного производства с объёмом выпуска – 18000 штук.

2. Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением тонкоплёночной технологии в одном корпусе.

3. Значения параметров:

Позиционное обозначение:

Наименование:

Количество:

Примечание:

R1,R3,R5

резистор 4КОм±10%

3

Р=3,4мВт

R2

резистор 1,8КОм±10%

1

Р2=5,8мВт

R4

резистор 1,7КОм±10%

1

Р4=2,2мВт

R6

резистор 5,7ком±10%

1

Р6=2,6мВт

VT1,VT4

транзистор КТ318В

2

Р=8мВт

VT2

транзистор КТ369А

1

Р=14мВт

VT3

транзистор КТ354Б

1

Р=7мВт

Страницы: 1 2 3 4