Литография высокого разрешения в технологии полупроводниковСтраница 22
Таблица 5. Сравнение экспонирующего оборудования
и соответствующих ему шаблонов и резистов.
|
| I | II | III | IV | V | VI | VII | VIII | IX |
| Минимальный размер | 1 | 2 | 3 | 4 | 4 | 5 | 4 | 3 | 3 |
| Регистрация | 1 | 2 | 3 | 3 | 3 | 4 | 3 | 2 | 4 |
| Производительность | 4 | 5 | 3 | 3 | 2 | 1 | 1 | 1 | 3 |
| Стоимость и простота шаблона | 2 | 2 | 3 | 4 | 4 | 3 | 1 | 1 | 1 |
| Чувствительность к рельефу | 2 | 3 | 3 | 3 | 2 | 4 | 4 | 4 | 3 |
| Простота резиста и его стоимость | 4 | 2 | 2 | 3 | 3 | 1 | 1 | 2 | 3 |
| Стоимость оборудования | 5 | 3 | 2 | 3 | 3 | 1 | 2 | 2 | 1 |
| Простота управления | 5 | 4 | 3 | 3 | 3 | 4 | 3 | 2 | 3 |
| Восприимчивость к дефектам | 1 | 3 | 4 | 4 | 5 | 4 | 4 | 4 | 3 |
| Перспективы развития для субмикронной литографии | 1 | 2 | 4 | 3 | 3 | 5 | 3 | 2 | 2 |
| Общий балл | 26 | 28 | 30 | 33 | 32 | 32 | 26 | 23 | 26 |
| Место | 4 | 3 | 2 | 1 | 1 | 1 | 4 | 5 | 4 |