Содержание

Введение. 3

Электрофизические свойства объемного арсенида индия. 3

· Зонная структура арсенида индия. 3

· Оптические свойства арсенида индия. 4

· Подвижность в арсениде индия. 5

Методы глубокой очистки индия и мышьяка. 6

· Методы глубокой очистки индия. 6

· Методы получения мышьяка и его соединений высокой

степени чистоты. 7

Эпитаксиальное наращивание арсенида индия

из газовой фазы. 7

· Система In-AsCl3-H2 . 8

· Система In-HCl-AsH3-H2. 9

· Система InAs-SiCl4-H2. 10

· Пиролиз МОС. 11

Жидкофазная эпитаксия арсенида индия. 12

Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия. 13

Заключение. 14

Список использованной литературы. 16

Введение.

Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны »3,5 мкм.

Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида индия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида индия. Следует также отметить недостаточную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращивании арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001).

Значительное рассогласование параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами газотранспортной и жидкофазной эпитаксии к формированию переходного слоя значительной толщины и к большей плотности морфологических и структурных дефектов. Это обусловлено ограничениями как физического характера, присущим данным эпитаксиальным технологиям, так и ограничениям, связанными с “ненаблюдаемостью” процесса роста.

Электрофизические свойства объемного арсенида индия.

Зонная структура арсенида индия.

Зона проводимости.

Арсенид индия является прямозонным полупроводником, у которого зона проводимости сферически симметрична и минимум ее находится в центре зоны Бриллюэна. Вблизи минимума кривизна зоны велика, вследствие чего эффективная масса электрона очень мала и равна me»0.026 m0.