последовательнымрешением:

в реакционной камере

SiCl4 ® SiCl2+2HCl, (19)

с источник арсенида индия

2InAs+ SiCl4+ SiCl2®2Si+2InCl+1/4As4, (20)

2InAs+SiCl4®4InCl+As4, (21)

на подложке

2InCl+As2+H2®2InAs+HCl. (22)

Тетрахлорид кремния как транспортный агент в газотранспортных реакциях имеет преимущество перед другими хлоридами:

· может быть получен особо высокой степени чистоты;

· имеет высокое парциальное давление при относительно невысоких температурах;

· не дает донорных уровней в эпитаксиальном слое.

Пиролиз МОС.

Значительный интерес представляют реакции металлоорганических соединений. Процессы такого рода проводятся при низких температурах, что существенно повышает чистоту, синтезируемого соединения, кроме того синтез многих МОС носит избирательный характер, а так как целый ряд примесей, влияющих на электрофизические параметры полупроводниковых материалов, не образуют аналогичных соединений, то уже в процессе самого синтеза МОС происходит очистка от нежелательных примесей до уровня 10-5-10-6 вес %.

Основными реакциями, приводящими к образованию арсенида индия при участии МОС, можно назвать следующие:

· термическое разложение индивидуального МОС по схеме

RnInAs®InAs+nRH (23)

разложение происходит в атмосфере водорода;

· реакции элементоорганических производных, имеющими подвижный водород по схеме

(C2H5)3In+AsH3®InAs+3C2H6; (24)

· совместное разложение двух или более МОС или гидридов, приводящее к образованию твердых растворах на их основе.

В качестве источников индия и мышьяка для выращивания эпитаксиальных структур используются метил- и этил производные, эфираты триметил индия. Последние соединения в сравнении с триметилиндия более технологичны, так как менее реакционно способны и удобнее как в процессе очистки, так и при проведении процесса эпитаксиального наращивания.

Как правило, процесс осаждения термическим разложением МОС осуществляется в атмосфере водорода. Возможно проведение процесса также в смеси водорода и азота или только в азоте.

В зависимости от условий проведения процесса термического разложения арсенид индия может быть получен как в виде порошка, так и в виде эпитаксиально выращенных слоев.

Одним из преимуществ метода является легкость проведения легирования в процессе эпитаксиального наращивания. С этой целью применяют широкий ассортимент алкильных соединений элементов.

Из рассмотренных диаграмм парциальных давлений для хлоридного, хлоридно-гидридного метода и пиролиза триметилиндия с арсином в водороде следует, что максимальную область осаждения арсенида индия имеет система (CH3)3In-(CH3)3As-H2, минимальную система In-AsCl3-AsH3-H2. Из этого следует, что с учетом ограничений связанных с кинетикой, процесс получения эпитаксиальных структур арсенида индия с использованием МОС менее критичен к температуре, давлению и концентрации реагентов, а осуществление этого процесса возможно в более широком диапазоне, чем в случае хлоридного метода.