Эту же технология можно использовать для защиты электронно-дырочных переходов на пластинах арсенида галлия.

Пиролитеческое наращивание плёнки двуокиси кремния вследствии сравнительно низкой температуры процесса незаменимо в тех случаях, когда окисления подвергаются структуры с заданным распределением примеси. Воздействие высокой температуры (в случае термического окисления) вызывает заметную диффузию примесей и изменение свойств структуры, поэтому пиролитическую плёнку окиси выращивают в настоящее время и на кремнии. Иногда делают комбинированное покрытие: на термически выращенный слой окиси кремния осаждают пиролитический окисел. Геленджик отели с бассейном 5 звезд гостиницы в геленджике 5 revital5-gelendzhik.ru.

Получение защитной пёнки на кристаллах с р-п-переходами заключается в осаждении слоя SiO2 из паровой фазы. Кристаллы с р-п-переходами нагревают до температуры 700 с. Через трубу пропускают кислород и тетраоксисилан со скоростью 0,5 л/мин. Тетраоксисилан подвергают термическому разложению с образованием плёнки двуокиси кремния на поверхности кристаллов. В течение 8 минут образуется плёнка толщиной 1500 А. Кристалл, покрытые окисной плёнкой, отжигают в вакууме при температуре 750 С в течение 2 часов. После этого процесс повторяют. Общая толщина плёнки 7500 А

При другом способе получения оксидной плёнки нагревают полупроводниковый кристалл в среде, содержащий окислительный газ, два или более газа, реагирующих друг с другом с образованием кремния. Эта смесь газов может включать в себя двуокись углерода, двуокись водорода и тетрахлорид кремния. Температура процесса получения плёнки 1250 С. Общая скорость течения газовой смеси 1 л/мин. Отношение двуокиси углерода и тетрахлорида кремния должно быть 0,8Ж0,15. В рабочей камере пара тетрахълорида кремния и хлористого водорода. Кремний окисляется двуокисью углерода и осаждается на полупроводниковую пластину. Скорость осаждения плёнки окиси кремния 0,4 мкм/мин.

Кроме того, защитные окисные плёнки кремния могут быть получены , с помощью электрического разряда в смеси тетрахлорида кремния и озона. Тетрахлорид кремния и озон вводят в рабочую камеру в паровой фазе. Под действием электрического разряда происходит реакция тетрахлорида кремния с озоном. Процесс может проходить при комнатной температуре. Химическая реакция идёт по формуле :

Для получения защитной плёнки пластины кремния или германия помещают в рабочую камеру и пропускают через нее кислород и аргон в течение 15-30 минут для очистки камеры от воздуха и влаги. Затем через пластину пропускают аргон, насыщенный SiCl4 со скоростью 0,06 м3/ч и озон со скоростью 0,02 м3/ч. Процесс проводят в течение от 1 до 5 часов в зависимости от требуемой толщины плёнки. Скорость нанесения защитной плёнки 5 мкм/ч.

Химическое травление. Представляет интерес процесс создания окисной плёнки путём обработки поверхности сильными химическими окислителями. В качестве окислителей для германия и кремния используется смесь азотной и плавиковой кислоты. Отличие от кислотных травителей состоит в том, что азотная кислота присутствует в значительном избытке, и процесс окисления поверхности полупроводника преобладает над процессом удаления окисной плёнки. Образующуюся плёнка имеет тёмно-синий цвет, большую плотность и толщину. Однако её стабилизирующие свойства очень чувствительны к режиму окисления, малейшие отклонения от которого приводят к значительному ухудшению исходных параметров приборов.